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硅溶胶抛光过程有哪些重要的影响因素?
 
作者:admin  来源:本站  发表时间:2023-5-15 3:02:24  点击:264

硅溶胶抛光液广泛应用于各种材料的纳米级抛光。如:不锈钢、铝合金、复合晶体、精密光学器件等的表面精密抛光。

  

  在抛光过程中,影响抛光过程的主要因素如下:

  

  ①温度:随着温度的升高,抛光液的化学反应能力增强,抛光速率加快。但是,过高的温度会导致抛光液挥发,加速化学反应,导致严重的表面腐蚀,导致抛光效果不均匀,抛光质量下降。

  

  ②酸碱度:抛光液的酸碱度越高,碱度越强,反应速度越快。然而,酸碱度对抛光表面的蚀刻、研磨剂的分解和溶解性、抛光液的稳定性等有很大的影响。,从而影响材料的去除率和表面质量,因此应严格控制。

  

  ③压力:一般来说,压力越高,抛光速度越快。然而,如果压力太高,抛光速率会稍微下降。原因是过高的压力会降低抛光垫承载抛光液的能力。另外,过大的压力容易造成碎片现象。

  

  ④转速:提高转速会提高抛光率。但是,过高的转速会导致抛光液在抛光垫上分布不均匀,从而影响抛光质量。

  

  ⑤抛光液浓度:当抛光液浓度增加时,去除率增加,但当磨粒浓度超过一定值时,材料去除率将停止增加并保持恒定值。这种现象被称为去除饱和。此外,如果浓度过高,表面缺陷(如划痕)可能会增加,从而影响表面质量。


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